Taiwan Semiconductor BC807-16

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-700 mV

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

24 V

hFEMin

100

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Transistor Polarity

PNP

Unit Weight

0.000282 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Brand

台湾半导体

包装

SOT-23

系列

BC807-xx

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

300 mW

技术

Si

极性

PNP

通道数量

2

电压

VCEO - (-45)V

元素配置

Single

功率耗散

200 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2.5 mA

增益带宽积

80 MHz

漏源电压 (Vdss)

-60 V

正向电压

1 V

齐纳电压

75 V

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极发射器电压(VCEO)

-45 V

最大集电极电流

-500 mA

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

栅极至源极电压(Vgs)

-1.5 V

输入电容

436 pF

最大击穿电压

9.8 V

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

连续集电极电流

-500 mA

最小击穿电压

25.4 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

1.5 mm

高度

1.3 mm

长度

3.1 mm

达到SVHC

无SVHC