Taiwan Semiconductor BZT52C39S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

SOD-323F-2

底架

表面贴装

引脚数

2

Ir - Reverse Current

0.045 uA

Zz - Zener Impedance

130 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.045 uA

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.000353 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

39 V

RoHS

Details

Voltage Temperature Coefficient

-

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

系列

BZT52C-S

包装

Reel

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

200 mW

配置

Single

阻抗

130 Ω

元素配置

Single

功率耗散

200 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

39 V

产品类别

齐纳二极管

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

电压允差

5 %

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

齐纳电流

0.045 uA

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V

Vf-正向电压

1 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

1.35 mm

高度

1.1 mm

长度

1.8 mm