Taiwan Semiconductor BZT55B20 L1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Non-Compliant
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
20 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT55B20L1
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.23
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
DO-213AA
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
0.1 µA
动态阻抗-最大值
55 Ω
反向测试电压
15 V
膝阻抗-最大
220 Ω