Taiwan Semiconductor GBU803

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

4-ESIP, GBU

引脚数

4

供应商器件包装

GBU

质量

4 g

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

Manufacturer Part Number

GBU803

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Package Description

R-PSFM-T4

Risk Rank

5.62

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

4

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Voltage Rating (AC)

140 V

RoHS

Compliant

Package

Tube

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

包装

GBU

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Pure Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

UL 认证

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

IR - 5uA

技术

Standard

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T4

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

电压

VRRM - 200V

二极管类型

桥式整流二极管

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 8 A

箱体转运

ISOLATED

正向电流

8 A

最大反向漏电电流

5 µA

最大浪涌电流

200 A

输出电流-最大值

8 A

平均整流电流（Io）

8 A

正向电压

1.1 V

相位的数量

1

最大重复反向电压(Vrrm)

200 V

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

最大非代表Pk前进电流

200 A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

200 A

电压 - 峰值反向（最大值）

200 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

击穿电压-最小值

200 V

宽度

3.56 mm

高度

18.8 mm

长度

22.3 mm

达到SVHC

无SVHC

可燃性等级

UL94 V-0