Taiwan Semiconductor HER307G
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型号
HER307G
utmel 编号
2436-HER307G
商品类别
无类别的
封装
DO-201AD-2
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS

简介
Diode High Efficiency Rectifier 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
起订量
1最小包装量--
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HER307G详情
技术参数
Taiwan Semiconductor HER307G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
DO-201AD-2
安装类型
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
DO-201AD
质量
1.12 g
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Qualification
-
Unit Weight
0.045151 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1250
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
RoHS
Details
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
HER307
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Product Status
活跃
Package Style
长式
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HER307G
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SURGE COMPONENTS INC
Forward Voltage-Max (VF)
1.7 V
Risk Rank
5.06
包装
切割胶带
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
EFFICIENCY
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
Diodes & Rectifiers
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-PALF-W2
配置
SINGLE
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 800 V
功率耗散
400 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 3 A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
3 A
最大反向漏电电流
10 µA
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
最大浪涌电流
125 A
输出电流-最大值
3 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
800 V
平均整流电流(Io)
3A
正向电压
1.7 V
产品类别
Rectifiers
相位的数量
1
反向恢复时间
75ns
峰值反向电流
10 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
800 V
Rep Pk反向电压-最大值
800 V
JEDEC-95代码
DO-201AD
电容@Vr, F
35pF @ 4V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
125 A
反向电压
800 V
二极管配置
Single
反向电流-最大值
10 µA
最大正向浪涌电流(Ifsm)
125 A
恢复时间
75 ns
最大结点温度(Tj)
150 °C
重复峰值反向电压
800V
反向恢复时间-最大值
0.075 µs
反向恢复时间(trr)
75 ns
产品
Rectifiers
产品类别
Rectifiers
高度
9.5 mm
达到SVHC
无SVHC
HER307G拓展信息
公司资质







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