Taiwan Semiconductor HER601G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

供应商器件包装

R-6

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Lead Free Status / RoHS Status

--

Number of SCRs/Diodes

2 SCRs, 2 Diodes

Voltage-Off State

600V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Non-Compliant

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

HER601G

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Surge Components Inc

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SURGE COMPONENTS INC

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.62

操作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

系列

--

包装

Bulk

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

EFFICIENCY

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PALF-W2

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 50 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 6 A

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

10 µA

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

最大浪涌电流

150 A

输出电流-最大值

6 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

50 V

平均整流电流（Io）

6A

正向电压

1 V

相位的数量

1

反向恢复时间

50 ns

峰值反向电流

10 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

50 V

Rep Pk反向电压-最大值

50 V

电容@Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

最大非代表Pk前进电流

250 A

反向电压

50 V

电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）

2.5V

反向电流-最大值

10 µA

电流-非反复浪涌 50, 60Hz (Itsm)

250A @ 60Hz

最大闸极触发电流 （Igt）

60mA

最大正向浪涌电流（Ifsm）

150 A

恢复时间

50 ns

结构

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 2)

最大结点温度（Tj）

150 °C

反向恢复时间-最大值

0.05 µs

反向恢复时间(trr)

50 ns