Taiwan Semiconductor MBR3035CT

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Operating Temperature (Min)

-65 °C

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Operating Temperature (Max)

150 °C

RoHS

Compliant

Package

Tube

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

30A (DC)

系列

-

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

200 µA @ 35 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

820 mV @ 30 A

正向电流

30 A

最大反向漏电电流

200 µA

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

最大浪涌电流

200 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

35 V

正向电压

700 mV

反向恢复时间

25 ns

峰值反向电流

200 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

35 V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

200 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

宽度

4.7 mm

高度

8.24 mm

长度

10.5 mm