Taiwan Semiconductor MBR60100PT

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

Axial

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

Axial

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Unit Weight

0.245577 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

900

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Package

Tube

Base Product Number

MBR60100

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

60A

操作温度

-55°C ~ 150°C

系列

PTF

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.145 Dia x 0.375 L (3.68mm x 9.53mm)

容差

±0.1%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±15ppm/°C

电阻

15 kOhms

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.25W, 1/4W

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Si

失败率

--

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1 mA @ 100 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

980 mV @ 60 A

正向电流

60 A

最大反向漏电电流

1 mA

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

最大浪涌电流

500 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

100 V

正向电压

840 mV

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

反向恢复时间

25 ns

峰值反向电流

1 mA

最大重复反向电压(Vrrm)

100 V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

420 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

特征

Moisture Resistant

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

座位高度(最大)

--

宽度

5.16 mm

高度

21.3 mm

长度

16.4 mm