Taiwan Semiconductor SA8.0A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

供应商器件包装

16-SOIC

Package

Tray

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Breakdown Voltage / V

8.89 V

Pd - Power Dissipation

3 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.015238 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3500

Ipp - Peak Pulse Current

38 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Reverse Stand-off Voltage

8 V

Voltage Rating (DC)

8 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Base Product Number

SA8.0

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

Automotive, AEC-Q100, FL-S

包装

切割胶带

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

额定功率

500 W

技术

FLASH - NOR (SLC)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

终端样式

Axial

工作电源电压

8 V

工作电压

8 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

内存大小

512Mbit

功率耗散

200 mW

时钟频率

80 MHz

电源线保护

无

电压 - 击穿

8.89V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

38A

访问时间

6.5 ns

最大反向漏电电流

25 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

13.6V

箝位电压

13.6 V

内存格式

FLASH

内存接口

SPI - Quad I/O

电压 - 反向断态（典型值）

8V

峰值脉冲电流

38 A

最大浪涌电流

70 A

峰值脉冲功率

500 W

单向通道

1

写入周期时间 - 字符、页面

750µs

正向电压

1 V

产品类别

TVS 二极管

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

电容@频率

-

最大击穿电压

9.83 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

175 °C

最小击穿电压

8.89 V

Vf-正向电压

3.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

组织的记忆

64M x 8

长度

7.6 mm

直径

3.6 mm

无铅

无铅