Taiwan Semiconductor TSM3481CX6

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

SOT-26-6

引脚数

6

Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

20.52 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

1.6 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000529 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

12 S

Channel Mode

Enhancement

Brand

台湾半导体

Qg - Gate Charge

18.09 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

38 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

42.81 ns

Id - Continuous Drain Current

5.7 A

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

24 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

包装

SOT-26

类型

P-Channel

电阻

38 mΩ

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

电容量

Ciss - 1047.98pF

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

2 W

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

电压

VDS - (-30)V

功率耗散

200 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2.5 mA

上升时间

4.43 ns

漏源电压 (Vdss)

-30 V

正向电压

1 V

齐纳电压

75 V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 P-Channel

反向恢复时间

50 ns

连续放电电流(ID)

-5.3 A

阈值电压

-1 V

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

栅极至源极电压(Vgs)

-1.5 V

输入电容

1.04798 nF

最大击穿电压

9.8 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

栅源电压

-1 V

最小击穿电压

25.4 V

产品类别

MOSFET

达到SVHC

无SVHC