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TSM7N65CI

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Taiwan Semiconductor TSM7N65CI

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对比

型号

TSM7N65CI

品牌

Taiwan Semiconductor

utmel 编号

2436-TSM7N65CI

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, ITO-220, 3 PIN

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TSM7N65CI

TSM7N65CI Taiwan Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, ITO-220, 3 PIN

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TSM7N65CI详情

技术参数

Taiwan Semiconductor TSM7N65CI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

220
RoHS

Compliant
电阻

1 Ω
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

30 W
功率耗散

30 W
漏源电压 (Vdss)

650 V
连续放电电流(ID)

7 A
阈值电压

2 V
漏源电阻

1 Ω
栅源电压

2 V
达到SVHC

无SVHC

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