TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD TSM3446CX6RF

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR