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首页 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 HS3J V6G
HS3J V6G
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Taiwan Semiconductor Corporation HS3J V6G

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型号

HS3J V6G

品牌

Taiwan Semiconductor Corporation

utmel 编号

2436-HS3J V6G

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

DO-214AB, SMC

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

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HS3J V6G
HS3J V6G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

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HS3J V6G详情

技术参数

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Taiwan Semiconductor Corporation HS3J V6G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-214AB, SMC

  • 供应商器件包装

    DO-214AB (SMC)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2017

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    10μA @ 600V

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~150°C

  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

    600V

  • 平均整流电流（Io）

    3A

  • 反向恢复时间

    75ns

  • 电容@Vr, F

    50pF @ 4V 1MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Taiwan Semiconductor Corporation HS3J V6G.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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