TDK B84112BB120

安装类型

表面贴装

包装/外壳

149-VFBGA

供应商器件包装

149-VFBGA (8x9.5)

Package

Box

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile, Volatile

Dim

(L x W x H) 84 x 125 x 38.1 mm

RoHS-compliant

有

Connections

Spade plug 6.3 mm

Manufacturer part #

B84112BB120

Nominal current

20A

Nominal voltage

250V AC

Nominal voltage (details)

115/250 V, 50/60 Hz

Content

1pc(s)

Nominal current - rounded value

20A

Nominal current (details)

20A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

Automotive, AEC-Q100

类型

B84112BB120

技术

FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4

电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V

内存大小

8Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR4)

时钟频率

2.133 GHz

访问时间

25 ns

内存格式

FLASH, RAM

内存接口

ONFI

写入周期时间 - 字符、页面

20ns, 30ns

特征

flame retardant

组织的记忆

1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4)

宽度

125mm

高度

38.1mm

长度

84mm