TDK F4H3N

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

2

Drain Current-Max (ID)

4 A

Risk Rank

5.84

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Ihs Manufacturer

SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

F4H3N

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25 W