我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
'si2319cds'
3结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | Case | Case/Package | Drain current | Drain-source voltage | Gate-source voltage | Gross weight | Kind of channel | Kind of package | Polarisation | Pulsed drain current | Type of transistor | 包装 | 电阻 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 最大功率耗散 | 通道数量 | 元素配置 | Power dissipation | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 漏源电压 (Vdss) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | 输入电容 | 最大结点温度（Tj） | 漏源电阻 | 最大rds | Gate charge | 栅源电压 | 最小击穿电压 | On-state resistance | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2319CDS-T1-BE3 | VISHAY | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SOT23 | -4.4A | -40V | ±20V | 0.1 g | enhanced | reel, | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET | 2.5W | 21nC | 108mΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NRND (Last Updated: 5 months ago) | Tin | 表面贴装 | 3 | 1.437803 g | 3 | SOT-23 | 1 | Compliant | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 | 18 ns | 切割胶带 | 77 mΩ | 150 °C | -55 °C | 2.5 W | 1 | Single | 2.5 W | 40 ns | -40 V | 4.4 A | -2.5 V | 20 V | -40 V | 595 pF | 150 °C | 77 mΩ | 77 mΩ | -1.2 V | 40 V | 1.12 mm | 3.04 mm | 1.4 mm | 无 | 有 | 无铅 | ||||||||||||||||
| SI2319CDS-T1-GE3-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 |
哦! 它是空的。