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1

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10

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100

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500

￥0.949272
1000

￥0.895533

Vishay SI2319CDS-T1-GE3

Name: SI2319CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2319CDS-T1-GE3
Price: 1.13 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2319CDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2319CDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.4A; 0.077ohm; 2.5W; -55 150 deg.C; SMD; SOT23

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SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.4A; 0.077ohm; 2.5W; -55 150 deg.C; SMD; SOT23

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SI2319CDS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2319CDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

NRND (Last Updated: 5 months ago)
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

1.437803 g
终端数量

3
Case/Package

SOT-23
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

18 ns
包装

切割胶带
电阻

77 mΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

2.5 W
接通延迟时间

40 ns
漏源电压 (Vdss)

-40 V
连续放电电流(ID)

4.4 A
阈值电压

-2.5 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

-40 V
输入电容

595 pF
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

77 mΩ
最大rds

77 mΩ
栅源电压

-1.2 V
最小击穿电压

40 V
高度

1.12 mm
长度

3.04 mm
宽度

1.4 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

有
无铅

无铅

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