参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
TO-126-3
安装类型
Surface Mount, Through Hole
触点形状
Square
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
60
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Unit Weight
0.026843 oz
Minimum Operating Temperature
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Part # Aliases
KSB772YS_NL
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Maximum DC Collector Current
3 A
DC Current Gain hFE Max
400
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Voltage, Rating
-
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
-
Mated Stacking Heights
-
厂商
TE Connectivity Erni
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Insulation Materials
Liquid Crystal Polymer (LCP)
Contact Length-Mating
0.114 (2.90mm)
系列
KSB772
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 125°C
终端
Solder
连接器类型
Header
定位的数量
50
应用
-
行数
2
紧固类型
插销座
子类别
Transistors
触点类型
公母针
额定电流
1A
技术
Si
入口保护
-
绝缘高度
0.504 (12.80mm)
样式
Board to Cable/Wire
已加载定位数量
All
间距 - 配套
0.039 (1.00mm)
绝缘颜色
Black
行间距-交配
0.059 (1.50mm)
触点长度 - 柱子
0.047 (1.20mm)
护罩,护罩
Shrouded - 4 Wall
触点表面处理 - 柱子
Tin
接触总长度
-
配置
Single
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
集电极基极电压(VCBO)
40 V
连续集电极电流
- 3 A
特征
Board Guide, Pick and Place
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
长度
8 mm
触点表面处理厚度 - 配套
-
触点表面处理厚度 - 柱子
157.5µin (4.00µm)
材料可燃性等级
UL94 V-0