TE Connectivity 2336366-2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±12V

场效应管特性

-