TE Connectivity 511319-000

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SH

供应商器件包装

DIRECTFET™ SH

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.8V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.7 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-