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TE Connectivity RN73C2B3K01BTD

Name: RN73C2B3K01BTD
Brand: TE Connectivity
SKU: 2460-RN73C2B3K01BTD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN73C2B3K01BTD

品牌

TE Connectivity

utmel 编号

2460-RN73C2B3K01BTD

商品类别

片式电阻器 - 表面贴装

封装

165-LBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3.01K Ω, Thin Film, Precision Resistor Resistor, .1 %, 2 Termination, 1206, Taped & Reeled, Resistance Class 1kΩ – 1MΩ, .125 W, ±10 ppm/°C, Solder

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RN73C2B3K01BTD TE Connectivity 3.01K Ω, Thin Film, Precision Resistor Resistor, .1 %, 2 Termination, 1206, Taped & Reeled, Resistance Class 1kΩ – 1MΩ, .125 W, ±10 ppm/°C, Solder

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RN73C2B3K01BTD详情

技术参数

TE Connectivity RN73C2B3K01BTD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

165-LBGA
供应商器件包装

165-FBGA (15x17)
Package

Tray
Base Product Number

CY7C1425
厂商

Infineon Technologies
Product Status

Obsolete
Memory Types

Volatile
Mounting Styles

PCB 安装
操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)
系列

-
尺寸/尺寸

0.120 L x 0.061 W (3.05mm x 1.55mm)
容差

±0.1%
终止次数

2
温度系数

±10ppm/°C
电阻

3.01 kOhms
组成

Thin Film
功率(瓦特)

0.125W, 1/8W
子类别

Resistors
技术

SRAM - Synchronous, QDR II
电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V
内存大小

36Mbit
时钟频率

250 MHz
内存格式

SRAM
内存接口

Parallel
写入周期时间 - 字符、页面

-
产品类别

薄膜电阻器
特征

-
组织的记忆

4M x 9
座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

0个相似型号

RN73C2B3K01BTD拓展信息

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