TE Connectivity RP73PF1E9K53BTD
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RP73PF1E9K53BTD
2460-RP73PF1E9K53BTD
片式电阻器 - 表面贴装
153-TFBGA
大陆
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Res Thin Film 0402 9.53K Ohm 0.1% 0.1W(1/10W) ±25ppm/C Epoxy Pad SMD Medical T/R
1最小包装量--
RP73PF1E9K53BTD详情
TE Connectivity RP73PF1E9K53BTD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
153-TFBGA
供应商器件包装
153-TFBGA (11.5x13)
终端数量
2
Package
Box
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Case Size
0402
Current Sensing
NO
Lead Spacing (nom)
Not Required(mm)
Package Type
SMD
Product Depth (mm)
0.5(mm)
Anti-Surge
NO
Operating Temp Range
-55C to 155C
Case Style
Epoxy
Product Diameter (mm)
Not Required(mm)
Temperature Range @ Derated Power
70 TO 155
Anti-Sulfurated
NO
Tolerance (+ or -)
0.1%
Power Rating(s)
0.1 (1/10)(W)
Voltage, Rating
50 V
Case Code - in
0402
Case Code - mm
1005
Maximum Operating Temperature
+ 155 C
Unit Weight
0.000019 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Mounting Styles
PCB 安装
Part # Aliases
8-2176306-9
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Holsworthy
RoHS
Details
Base Product Number
RP73PF1E
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q104
包装
卷带
尺寸/尺寸
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
容差
0.1 %
终止次数
2
温度系数
±25(ppm/°C)
类型
Thin Film
电阻
9530(ohm)
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.1W, 1/10W
子类别
Resistors
额定功率
100 mW (1/10 W)
技术
FLASH - NAND (SLC)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
结构
Rectangular
军用标准
不需要
终端样式
PAD
失败率
不需要
内存大小
512Gbit
时钟频率
52 MHz
内存格式
FLASH
内存接口
UFS2.1
写入周期时间 - 字符、页面
-
产品类别
薄膜电阻器
产品
精密薄膜贴片电阻器
特征
-
产品类别
Thin Film Resistors - SMD
组织的记忆
64G x 8
产品长度(mm)
1(mm)
宽度
0.5 mm
高度
0.3 mm
长度
1 mm
座位高度(最大)
0.014 (0.35mm)
产品高度(mm)
0.3(mm)
RP73PF1E9K53BTD拓展信息
TE Connectivity
TE Connectivity
TE Connectivity / Holsworthy
TE Connectivity / Holsworthy
TE Connectivity
TE Connectivity
TE Connectivity
TE Connectivity
TE Connectivity / Holsworthy
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