TEMIC HM3E-65664-9

表面安装

NO

终端数量

28

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP28,.6

Operating Temperature-Min

-40 °C

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HM3E-65664-9

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

泰美半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TEMIC SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.92

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.075 mA

组织结构

8KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.000003 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V