Texas Instruments 1N5226BT50A

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

3.3 V

Risk Rank

5.56

Package Description

O-LALF-W2

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer Part Number

1N5226BT50A

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

20 mA

反向电流-最大值

25 µA

膝阻抗-最大

1600 Ω