Texas Instruments 2N2223

表面安装

NO

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

CYLINDRICAL

Package Shape

ROUND

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

200 °C

Number of Elements

2

Risk Rank

5.32

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N2223

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-78

最大耗散功率(Abs)

0.6 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

1.2 V

集电极-基极电容-最大值

15 pF

环境耗散-最大值

0.6 W