Texas Instruments 5962-9760501Q2A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TDFN Exposed Pad

供应商器件包装

TLM832D

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

860mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

厂商

Central Semiconductor Corp

Power Dissipation (Max)

1.65W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

240mOhm @ 200mA, 1.8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200 pF @ 16 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.56 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

8V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)