Texas Instruments BC859B

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

125

集电极-发射器电压-最大值

30 V