BCW33
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Texas Instruments BCW33

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型号

BCW33

utmel 编号

2502-BCW33

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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BCW33 Texas Instruments 500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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BCW33详情

Texas Instruments BCW33重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    copper-graphite brush Cu-C

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    200 MHz

  • Gross weight

    2.03

  • Transport packaging size/quantity

    29*28*23.5/5000

  • Teral type

    terminal-freemin

  • Surface shape

    flat working surface

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    graphite brush for wireless collector motor

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    低噪音

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 深度

    23.4 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    420

  • 集电极-发射器电压-最大值

    32 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    4 pF

  • 环境耗散-最大值

    0.35 W

  • 高度

    4 mm

  • 宽度

    12.8 mm

0个相似型号

技术文档: Texas Instruments BCW33.

BCW33拓展信息

MPS6566
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MPS3706
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2N5089
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2N4013
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5962-8777801YA
5962-8777801YA

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2N3303
2N3303

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JANTX2N2907AUB
JANTX2N2907AUB

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2N3710
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2N3497
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2N3114
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