参数名
参数值
参数名
参数值
工厂交货时间
1 Week
触点镀层
Gold
底架
通孔
安装类型
通孔
表面安装
NO
引脚数
14
质量
927.99329 mg
终端数量
14
Number of Elements
3
RoHS
Compliant
Dimensions
19.3 x 6.35 x 4.57mm
Minimum Operating Supply Voltage
4.5 V
Package Type
PDIP
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Maximum Propagation Delay Time @ Maximum CL
24 ns @ 4.5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Logic Family
HCT
Maximum Operating Supply Voltage
5.5 V
Package Description
DIP-14
Package Style
IN-LINE
Load Capacitance (CL)
50 pF
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP14,.3
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CD74HCT10EE4
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Texas
Part Life Cycle Code
Obsolete
Samacsys Description
NAND Gate 3-Element 3-IN
Ihs Manufacturer
Texas INC
Risk Rank
5.44
Part Package Code
DIP
Prop.
36 ns
JESD-609代码
e4
无铅代码
有
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8542.39.00.01
子类别
Gates
包装方式
TUBE
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
3
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
14
JESD-30代码
R-PDIP-T14
输出的数量
1
资历状况
不合格
Brand Name
Texas
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
电路数量
3
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
输出电流
4 mA
比特数
3
传播延迟
24 ns
静态电流
2 µA
接通延迟时间
30 ns
家人
HCT
逻辑功能
NAND
输入数量
3
座位高度-最大
5.08 mm
逻辑IC类型
NAND GATE
最大 I(ol)
0.004 A
阀门数量
3
高电平输出电流
-4 mA
传播延迟(tpd)
36 ns
低水平输出电流
4 mA
施密特触发器
NO
输入行数
3
输出行数
1
施密特触发器输入
无
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
长度
19.3 mm
无铅
无铅