Texas Instruments CSD58887Q3

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CSD58887Q3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

Texas INC

Package Description

3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

21 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0078 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

115 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3 W