Texas Instruments DS10BR150TSD/NOPB
- 收藏
- 对比
DS10BR150TSD/NOPB
2502-DS10BR150TSD/NOPB
接口 - 信号缓冲器、中继器、分离器
8-WFDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

IC REDRIVER LVDS 1CH 1GBPS 8WSON
--最小包装量--
DS10BR150TSD/NOPB详情
Texas Instruments DS10BR150TSD/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
引脚数
8
Interface Standards
GENERAL PURPOSE
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~85°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
类型
Buffer, ReDriver
应用
LVDS
最大功率耗散
2.08W
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
基本部件号
DS10BR150
引脚数量
8
工作电源电压
3.3V
工作电源电流
21mA
功率耗散
2.08W
最大电源电流
21mA
传播延迟
600 ps
接通延迟时间
600 ps
最大输出电压
450mV
逻辑功能
Buffer
输出特性
DIFFERENTIAL
差分输出
YES
输入
CML, LVDS, LVPECL
输出极性
COMPLEMENTARY
消耗功率
53W
驱动程序位数
1
最大输入电流
10μA
接收器位数
1
接收延迟-最大
0.6 ns
数据率(最大)
1Gbps
传输延迟-最大值
0.6 ns
电源电压1-额定值
3.3V
延迟时间
380ps
电容-输入
1.7pF
高度
800μm
长度
3mm
宽度
3mm
器件厚度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DS10BR150TSD/NOPB拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments








哦! 它是空的。