Texas Instruments JFE150DCKR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供应商器件包装

SC-70-5

厂商

德州仪器

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Drain-Source Current at Vgs=0

50 mA

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

18 ms

Manufacturer

德州仪器

Brand

德州仪器

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

- 40 V

Gate-Source Cutoff Voltage

- 1.2 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

包装

切割胶带

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

24pF @ 5V

漏源电压 (Vdss)

40 V

产品类别

JFETs

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

24 mA @ 10 V

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

最大漏极电流（Id）

50 mA

产品类别

JFET