Texas Instruments JFE2140DR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOIC

厂商

德州仪器

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Moisture Sensitive

有

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Drain-Source Current at Vgs=0

50 mA

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

24 mS

Manufacturer

德州仪器

Brand

德州仪器

RoHS

Details

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

- 40 V

Gate-Source Cutoff Voltage

- 1.15 V

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Reel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13pF @ 5V

漏源电压 (Vdss)

40 V

产品类别

JFETs

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

最大漏极电流（Id）

50 mA

产品类别

JFET