Texas Instruments LF353DR
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LF353DR
2502-LF353DR
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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TEXAS INSTRUMENTS LF353DR IC, OP-AMP, 3MHZ, 13V/s, SOIC-8
--最小包装量--
LF353DR详情
Texas Instruments LF353DR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
操作温度
0°C~70°C
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
包装方式
TR
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
LF353
引脚数量
8
资历状况
不合格
电源
+-15V
通道数量
2
工作电源电流
3.6mA
电源电流
6.5mA
功率耗散
500mW
压摆率
13V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
J-FET
共模拒绝率
70 dB
输入偏正电流
50pA
电压 - 电源,单/双路(±)
±3.5V~18V
输入失调电压(Vos)
10mV
带宽
3MHz
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
3000 kHz
电压增益
100dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
5mV
低偏压
YES
微功率
NO
可编程电源
NO
双电源电压
9V
输入失调电流-最大值(IIO)
0.004μA
高度
1.75mm
长度
4.9mm
宽度
3.91mm
器件厚度
1.58mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LF353DR拓展信息
Texas Instruments
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