Texas Instruments LF356N/NOPB
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LF356N/NOPB
2502-LF356N/NOPB
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
--最小包装量--
LF356N/NOPB详情
Texas Instruments LF356N/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
质量
4.535924g
操作温度
0°C~70°C
包装
Tube
系列
BI-FET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
670mW
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
2.54mm
基本部件号
LF356
引脚数量
8
最大输出电流
25mA
通道数量
1
工作电源电流
5mA
电源电流
5mA
功率耗散
670mW
输出电流
25mA
压摆率
12V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
J-FET
共模拒绝率
80 dB
输入偏正电流
30pA
电压 - 电源,单/双路(±)
±15V
每个通道的输出电流
25mA
输入失调电压(Vos)
3mV
带宽
5MHz
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
5000 kHz
电压增益
106.02dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.0002μA
电源抑制比
80dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
结算时间
1.5 μs
低偏压
YES
微功率
NO
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.0002μA
可编程电源
NO
双电源电压
15V
输入失调电流-最大值(IIO)
0.00005μA
最大结点温度(Tj)
100°C
环境温度范围高
70°C
高度
5.08mm
长度
9.81mm
宽度
6.35mm
器件厚度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LF356N/NOPB拓展信息
Texas Instruments
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