Texas Instruments LF412ACN/NOPB
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LF412ACN/NOPB
2502-LF412ACN/NOPB
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP
--最小包装量--
LF412ACN/NOPB详情
Texas Instruments LF412ACN/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
质量
4.535924g
Usage Level
Military grade
操作温度
0°C~70°C
包装
Tube
系列
BI-FET II™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
670mW
端子位置
DUAL
功能数量
2
电源电压
20V
基本部件号
LF412
引脚数量
8
通道数量
2
工作电源电流
3.6mA
电源电流
3.6mA
功率耗散
670mW
输出电流
25mA
最大电源电流
5.6mA
压摆率
15V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
J-FET
共模拒绝率
80 dB
输入偏正电流
50pA
电压 - 电源,单/双路(±)
10V~44V ±5V~22V
输入失调电压(Vos)
1mV
带宽
3MHz
增益带宽积
4MHz
负电源电压(Vsup)
-20V
统一增益 BW-(标准值)
4000 kHz
电压增益
106.02dB
电源抑制比
80dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
500μV
增益
4 dB
低偏压
YES
微功率
NO
可编程电源
NO
双电源电压
9V
输入失调电流-最大值(IIO)
0.0001μA
高度
5.08mm
长度
9.81mm
宽度
6.35mm
器件厚度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LF412ACN/NOPB拓展信息
Texas Instruments
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