Texas Instruments LM5105SD/NOPB
- 收藏
- 对比
LM5105SD/NOPB
2502-LM5105SD/NOPB
PMIC - 栅极驱动器
10-WDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

TEXAS INSTRUMENTS LM5105SD/NOPB. MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, LLP-10, FULL REEL
--最小包装量--
LM5105SD/NOPB详情
Texas Instruments LM5105SD/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
10-WDFN Exposed Pad
引脚数
10
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.2V
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
8V~14V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
12V
端子间距
0.8mm
基本部件号
LM5105
引脚数量
10
输出的数量
2
输出电压
118.3V
最大输出电流
1.8A
电压
14V
电源电流
1.65mA
输出电流
1.8A
传播延迟
595 ns
静态电流
400μA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
595 ns
最大输出电压
18.3V
上升时间
15ns
下降时间(典型值)
15 ns
输出极性
真倒
上升/下降时间(Typ)
15ns 15ns
信道型
Synchronous
接通时间
0.705 µs
输出峰值电流限制-名
1.8A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.8A 1.8A
高边驱动器
YES
关断时间
0.056 µs
高压侧电压-最大值(自举)
118V
高度
800μm
长度
4mm
宽度
4mm
器件厚度
750μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LM5105SD/NOPB拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments










哦! 它是空的。