Texas Instruments LM5110-1M
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LM5110-1M
2502-LM5110-1M
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
--最小包装量--
LM5110-1M详情
Texas Instruments LM5110-1M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.2V
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 供电
3.5V~14V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
2
电源电压
12V
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
LM5110
引脚数量
8
输出的数量
2
资历状况
不合格
最大输出电流
5A
电源电流
2mA
输出电流
5A
最大电源电流
2mA
传播延迟
40 ns
静态电流
1mA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
40 ns
上升时间
25ns
下降时间(典型值)
25 ns
上升/下降时间(Typ)
14ns 12ns
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
Independent
接通时间
0.04 µs
输出峰值电流限制-名
5A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
3A 5A
关断时间
0.04 µs
内置保护器
UNDER VOLTAGE
高度
1.45mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
LM5110-1M拓展信息
Texas Instruments
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