LMG3411R150RWHR
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Texas Instruments LMG3411R150RWHR

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型号

LMG3411R150RWHR

utmel 编号

2502-LMG3411R150RWHR

商品类别

PMIC - 全、半桥驱动器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE

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LMG3411R150RWHR
LMG3411R150RWHR Texas Instruments SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE

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LMG3411R150RWHR详情

Texas Instruments LMG3411R150RWHR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    氮化镓

  • Operating Temperature (Max.)

    125°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -40°C

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    32

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    无铅

  • JESD-30代码

    S-PQCC-N32

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    6A

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    43A

  • DS 击穿电压-最小值

    480V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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LMG3411R150RWHR拓展信息

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