Texas Instruments MMBF5486

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Repetitive impulse reverse voltage Vrrm

1200 V

Gross weight

116.50

Transport packaging size/quantity

23*20.5*23/100

Maximum forward current

allowable pulse (IFM) - ... A

Repetitive impulse reverse current (Irrm)

8 mA

Forward voltage drop (Vf)

1.45 V

Maximum allowable average forward current It(av)

80 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

module power semiconductor diode series МДД

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.225 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

10 dB

长度

92 mm

宽度

20 mm

高度

30 (housing) mm