NDP610BEL
NDP610BEL

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Texas Instruments NDP610BEL

  • 收藏
  • 对比

型号

NDP610BEL

utmel 编号

2502-NDP610BEL

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

24A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
NDP610BEL
NDP610BEL Texas Instruments 24A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

NDP610BEL详情

Texas Instruments NDP610BEL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    24 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.08 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 环境耗散-最大值

    100 W

0个相似型号

技术文档: Texas Instruments NDP610BEL.

NDP610BEL拓展信息

MMBF5485
MMBF5485

Texas Instruments

NDS0610
NDS0610

Texas Instruments

NDS355AN
NDS355AN

Texas Instruments

2N4342
2N4342

Texas Instruments

2N3070
2N3070

Texas Instruments

PN3692
PN3692

Texas Instruments

FM1111
FM1111

Texas Instruments

BSW21A
BSW21A

Texas Instruments

2N711A
2N711A

Texas Instruments

PN4857
PN4857

Texas Instruments

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z