Texas Instruments NDS0610

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Drain Current-Max (ID)

0.12 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF