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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥32.634457
10
¥30.787227
100
¥29.044549
500
¥27.400523
1000
¥25.849545
Texas Instruments THS4215DRBR
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- 对比
THS4215DRBR
2502-THS4215DRBR
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
8-VDFN Exposed Pad
大陆
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IC OPAMP VFB 350MHZ 8SON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
THS4215DRBR详情
Texas Instruments THS4215DRBR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
8
质量
22.906415mg
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~85°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
包装方式
TR
最大功率耗散
2.18W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
0.65mm
基本部件号
THS4215
引脚数量
8
工作电源电流
19mA
电源电流
22mA
功率耗散
2.18W
压摆率
970V/μs
放大器类型
电压反馈
共模拒绝率
50 dB
输入偏正电流
7μA
电压 - 电源,单/双路(±)
5V~15V ±2.5V~7.5V
每个通道的输出电流
220mA
输入失调电压(Vos)
12mV
带宽
350MHz
负电源电压(Vsup)
-5V
统一增益 BW-(标准值)
1000000 kHz
电压增益
68dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
20μA
电源抑制比
58dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
结算时间
22 ns
低偏压
NO
-3db 带宽
325MHz
可编程电源
NO
最大I/O电压
3mV
输入失调电流-最大值(IIO)
6μA
高度
1mm
长度
3mm
宽度
3mm
器件厚度
880μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
THS4215DRBR拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
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