Texas Instruments TLV3702IDR
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TLV3702IDR
2502-TLV3702IDR
线性 - 比较器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC COMP DUAL P-P NANOPWR 8SOIC
--最小包装量--
TLV3702IDR详情
Texas Instruments TLV3702IDR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
72.603129mg
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
类型
通用型
包装方式
TR
最大功率耗散
710mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
5V
基本部件号
TLV3702
引脚数量
8
输出类型
CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail
工作电源电流
800nA
电源电流
1.6μA
功率耗散
710mW
输出电流
10mA
静态电流
1μA
回应时间
36 μs
共模拒绝率
88 dB
电压 - 电源,单/双路(±)
2.7V~16V ±1.35V~8V
电源类型
Dual, Single
输入失调电压(Vos)
5mV
电压增益
120dB
电源抑制比
105dB
电源电压限制-最大值
17V
双电源电压
5V
输入偏置电流
80pA
电压 - 输入断态 (最小值)
5mV @ 15V
最大输入偏正电流
250pA @ 15V
共模抑制比/电源抑制比(类比)
88dB CMRR, 105dB PSRR
高度
1.75mm
长度
4.9mm
宽度
3.91mm
器件厚度
1.58mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TLV3702IDR拓展信息
Texas Instruments
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