Texas Instruments TLV5619IDWRG4

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

引脚数

20

质量

537.308512mg

Power Dissipation (Max)

8mW

JESD-609代码

e4

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

20

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

20

资历状况

不合格

输出类型

Voltage

电源

3/5V

温度等级

INDUSTRIAL

界面

Parallel

最大电源电压

5.5V

最小电源电压

2.7V

电源电流

1.6mA

比特数

12

转换器类型

D/A CONVERTER

电源类型

Single

决议案

1.5 B

采样率

480 ksps

结算时间

1 μs

消耗功率

4.3mW

线性度误差-最大值 (EL)

0.0977%

积分非线性(INL)

4 LSB

输入位代码

BINARY

转换器数量

1

转换率

1 Msps

信噪比(SNR)

78 dB

模拟输出电压-最大值

2.9V

微分非线性

1 LSB

无杂散动态范围（SFDR）

72 dB

座位高度(最大)

2.65mm

宽度

7.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅