Texas Instruments TS3DDR3812RUAR
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TS3DDR3812RUAR
2502-TS3DDR3812RUAR
接口 - 模拟开关 - 特殊用途
42-WFQFN Exposed Pad
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TEXAS INSTRUMENTS TS3DDR3812RUARMUX/DEMUX, DDR3, 1:2, 42WQFN
--最小包装量--
TS3DDR3812RUAR详情
Texas Instruments TS3DDR3812RUAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
42-WFQFN Exposed Pad
引脚数
42
质量
54.799628mg
Turn Off Delay Time
5 ns
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
42
ECCN 代码
EAR99
电阻
12Ohm
应用
Memory
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
基本部件号
TS3DDR3812
引脚数量
42
输出的数量
24
通道数量
12
电路数量
12
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
工作电源电流
300μA
电源电流
300μA
投掷配置
单刀双掷
传播延迟
40 ps
接通延迟时间
7 ns
逻辑功能
Demultiplexer, Multiplexer
输入电压(最大)
5.5V
电源类型
Single
供应电流-最大值(Isup)
0.4mA
通态电阻(最大值)
12Ohm
多路复用器/解复用器电路
2:1
断态隔离-标称
42 dB
通态电阻匹配标称
0.4Ohm
电压 - 电源,单路(V±)
3V~3.6V
正常位置
NO
环境温度范围高
85°C
特征
DDR3
通态电阻
8Ohm
高度
800μm
长度
9mm
宽度
3.5mm
器件厚度
750μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TS3DDR3812RUAR拓展信息
Texas Instruments
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