Toshiba 1SS181,LF(T

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Peak Rep Rev Volt

85(V)

Peak Forward Voltage

1.2(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SMini

Peak Reverse Recovery Time

4(ns)

Product Depth (mm)

1.5(mm)

Maximum Forward Current

100(mA)

Rev Curr

0.5(uA)

Operating Temp Range

-55C to 125C

Power Dissipation (Max)

150(mW)

Rev Recov Time

4(ns)

Rad Hardened

无

Rectifier Type

开关二极管

Mounting

表面贴装

Number of Elements per Chip

2

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.16mm

Maximum Diode Capacitance

4pF

Qualification

-

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

1SS181,LF(T

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

1.44

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

应用

快速恢复

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

双共阳极

二极管类型

接收电极

功率耗散

150mW

正向电流

100(mA)

输出电流-最大值

0.1 A

正向电压

1.2(V)

相位的数量

1

反向恢复时间

4ns

峰值反向电流

0.5(uA)

Rep Pk反向电压-最大值

85 V

峰值非恢复性浪涌电流

2(A)

最大非代表Pk前进电流

2 A

二极管配置

共阳极

反向电流-最大值

0.5 µA

重复峰值反向电压

85V

反向恢复时间-最大值

0.004 µs

反向测试电压

80 V

宽度

1.5mm

高度

1.16mm

长度

2.9mm

产品高度(mm)

1.1(mm)