CUS08F30,H3F
CUS08F30,H3F

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Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30,H3F

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型号

CUS08F30,H3F

utmel 编号

2541-CUS08F30,H3F

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

SC-76, SOD-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC

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CUS08F30,H3F
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC

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CUS08F30,H3F详情

Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30,H3F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 包装/外壳

    SC-76, SOD-323

  • 底架

    表面贴装

  • 触点镀层

    Silver, Tin

  • 安装类型

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电容量

    170pF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Schottky

  • 反向泄漏电流@ Vr

    50μA @ 30V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    220mV @ 10mA

  • 正向电流

    800mA

  • 工作温度 - 结点

    125°C Max

  • 输出电流-最大值

    0.8A

  • 最大反向电压(DC)

    30V

  • 平均整流电流

    800mA

  • 峰值反向电流

    50μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    30V

  • 电容@Vr, F

    170pF @ 0V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    5A

  • 反向电压

    30V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    5A

  • 最大结点温度(Tj)

    125°C

  • 高度

    1.15mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30,H3F.

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & CUS08F30,H3F相似的参数规格。

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