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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.244102
10
¥1.173681
100
¥1.107246
500
¥1.044572
1000
¥0.985445
Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30,H3F
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- 对比
CUS08F30,H3F
2541-CUS08F30,H3F
二极管 - 整流器 - 单
SC-76, SOD-323
大陆
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DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CUS08F30,H3F详情
Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30,H3F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
SC-76, SOD-323
底架
表面贴装
触点镀层
Silver, Tin
安装类型
表面贴装
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
电容量
170pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
50μA @ 30V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
220mV @ 10mA
正向电流
800mA
工作温度 - 结点
125°C Max
输出电流-最大值
0.8A
最大反向电压(DC)
30V
平均整流电流
800mA
峰值反向电流
50μA
最大重复反向电压(Vrrm)
30V
电容@Vr, F
170pF @ 0V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
5A
反向电压
30V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
5A
最大结点温度(Tj)
125°C
高度
1.15mm
RoHS状态
符合RoHS标准
CUS08F30,H3F拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba






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