1SS226T5LFT详情
Toshiba 1SS226T5LFT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Operating Temperature (Max)
125 °C
RoHS
Compliant
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Package Description
2-3F1S, S-MINI PACKAGE-3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
1SS226(T5L,F,T)
Power Dissipation (Max)
0.15 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Risk Rank
1.47
包装
卷带
ECCN 代码
EAR99
应用
超快恢复
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
正向电流
100 mA
最大反向漏电电流
500 nA
最大浪涌电流
2 A
输出电流-最大值
0.1 A
正向电压
1.2 V
最大反向电压(DC)
80 V
平均整流电流
100 mA
相位的数量
1
反向恢复时间
4 ns
峰值反向电流
500 nA
最大重复反向电压(Vrrm)
85 V
Rep Pk反向电压-最大值
85 V
峰值非恢复性浪涌电流
2 A
最大非代表Pk前进电流
2 A
反向电压
85 V
反向电流-最大值
0.5 µA
恢复时间
4 ns
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
反向测试电压
80 V
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
1SS226T5LFT拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba








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