1SS352(TH3,F,D)详情
Toshiba 1SS352(TH3,F,D)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
R-PDSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
1SS352(TH3,F,D)
Power Dissipation (Max)
0.2 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Risk Rank
7.68
应用
快速恢复
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
0.1 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
85 V
最大非代表Pk前进电流
1 A
反向电流-最大值
0.5 µA
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
反向测试电压
80 V
1SS352(TH3,F,D)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba








哦! 它是空的。